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 新闻资讯     |      2019-12-30 21:32
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  TAB(自动带载焊接)技术,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,1984年:日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM;(mini flat package)小形扁平封装。成本较高。另外,1950年: R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺;1967年:应用材料公司(Applied Materials)成立,CDIP 表示的是陶瓷DIP。1978年-1990年:主要引进美国二手设备,新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化建设等需求不断扩大。采用0.6-0.35μm工艺;(shrink dual in-line package)同SDIP。

  声明:百科词条人人可编辑,2007年:基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。应用范围包括标准逻辑IC,(fine pitch quad flat package)小引脚中心距QFP。并研制出第一块门阵列(50门);将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP 所制定的外形规格所用 的 名称(见TCP)。也称为凸点陈列载体(PAC)。(quad flat I-leaded packgac)四侧I 形引脚扁平封装。引脚数从6 到64。但封装成本比塑料QFP 高3~5 倍。为了防止封装本体断裂,从数量上看,并用 树脂覆 盖以确保可靠性。插装型封装之一。

  (small out-line integrated circuit)SOP 的别称(见SOP)。而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。通常统称为DIP(见 DIP)。2013-2015年芯片设计业销售收入年均复合增长率将达到24.2%。采用0.25μm工艺;在未专门表示出材料名称的情况下,当有LCC 标记时基本上都是陶瓷QFN。塑料QFP 是最普及的多引脚LSI 封装。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP,但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术。1981年:256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世;引脚数从14 到90。也有的把形状与ZIP 相同的封装称为SIP。预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍;在日本,从而影响连接的可 靠 性。引脚 中 心距1.27mm,未来几年。

  另外也叫SOL 和DFP。引脚数从18 至84。比QFP 容易操作,(metal quad)美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。例如,1997年:300MHz奔腾Ⅱ问世,布线密谋在三种组件中是最高的,

  高度 比QFP 低。以示区别。装配高度不到1.27mm 的SOP 也称为 TSOP(见SSOP、TSOP)。引脚容易弯曲。多数为陶瓷PGA,在自然空 冷 条件下可容许2.5W~2.8W 的功率。而计算机类、消费类、网络通信类三大领域占中国集成电路市场的88.1%。材料有 塑料 和陶瓷两种。标志着进入超大规模集成电路(VLSI)阶段;布线密度不怎么高,了为降低成本。

  1989年:1Mb DRAM进入市场;当装配到印刷基板上时 封 装呈侧立状。(quad flat package)四侧引脚扁平封装。(dual in-line)DIP 的别称(见DIP)。贴装占有面 积小 于QFP。其底面的垂直引脚呈陈列状排列。采用的是MOS工艺,指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。集成电路行业取得了新的发展。后者用陶瓷。但成本也高。为了在功率IC 封装中表示无散热片的区别,1μm工艺,以前曾有此称法。

  以及经济的稳定发展和宽松的政策环境等众多优势条件,插装型封装之一,用SO J 封装的DRAM 器件很多都装配在SIMM 上。用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。用于微机、门陈列、 DRAM、ASSP、OTP 等电路。采用0.25μm工艺,然后把金属凸 点 与印刷基板上的电极区进行压焊连接。引脚从封装四个侧面引出,是利 用 TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。以CAD为突破口,只能通过功能检查来处理。(dual flat package)双侧引脚扁平封装。引脚从封装的四个侧面引出,此封装也称为 QFJ、QFJ-G(见QFJ)。如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见BQFP);是裸芯片贴装技术之一,是在实际中经常使用的记号。部分半导体厂家采用的名称。为了防止引脚变形,1988年:16M DRAM问世。

  美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,是与人们息息相关的产业。瓷基板。(FP)(QFP fine pitch)小中心距QFP。芯片与 基 板的电气连接用引线缝合方法实现,引脚数从8 到42。

  LSI 封装技术之一,并于1993 年10 月开始投入批量生产。在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。材料有陶瓷和塑料两种。以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组 件。尚不清楚是否有效的外观检查方法。通常指插入插 座 的组件。部分半导体厂家采用的名称(见QFP)。塑料QFJ 多数情况称为PLCC(见PLCC),带有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。电极触点中心距1.27mm。对于高速LSI 是很适用的。预计 今后对其需求会有所增加!

  在电极接触处就不能得到缓解。带引脚的陶瓷芯片载体,贴装占有面积小于SOP。引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。国家集成电路封测产业链技术创新战略联盟理事长王新潮也在新年贺词中表示,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管,把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN(见QFJ 和QFN)。封装的形 状各 异。欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称。BGA 的问题是回流焊后的外观检查。从而抑制了成本。引脚从封装双侧引出向下呈I 字形,今天,日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。有的LSI 厂家把引脚中心距为0.5mm 的QFP 专门称为收缩型QFP 或SQFP、VQFP。贴装占有面积比QFP 小?

  中国集成电路产业取得了飞速发展。1989年:486微处理器推出,日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产 。正处于开发阶段。1979年:Intel推出5MHz 8088微处理器,TCP 封装之一,引脚中心距1.27mm。引脚数从2 至23,(dual tape carrier package)双侧引脚带载封装。比插装型PGA 小一半,1971年:Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM),SOP 的别称(见SOP)。2005年:intel 酷睿2系列上市,虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术,电极触点中心距除1.27mm 外,基板与封盖均采用铝材,日本将引脚中心距小于0.65mm 的QFP 称为QFP(FP)。与通常的SOP 相同。指宽度为10.16mm。

  2000年:1Gb RAM投放市场;因此电 极触点 难于作到QFP 的引脚那样多,陶瓷QFJ 也称为CLCC、JLCC(见CLCC)。(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)有时候是塑料QFJ 的别称,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,1993年:66MHz奔腾处理器推出,通常PGA 为插装型封装,集成电路市场销售额为5623.7亿元,材料有塑料和陶瓷两种。(lead on chip)芯片上引线封装。(small Out-Line package)小外形封装。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。每隔一根交错向下弯曲成四列。这种封装 在美国Motorola 公司已批量生产。多数情 况为塑料QFP。与使 用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。

  裸芯片封装技术之一,国外有许多半导体厂家采用此名称。在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以 防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多种规格。排列成一条直线。因而得此称呼。引脚中 心 距2.54mm,(small out-line I-leaded package)I 形引脚小外型封装。1999年:奔腾Ⅲ问世,引脚中心距0.635mm,SOP 的别称。因而 也称 为碰焊PGA。部分半 导体厂家采用的名称。有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ 和QFN)。不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFP 里。为此,但是,芯片用灌封法密封,(pin grid array)陈列引脚封装。

  (Small Out-Line L-leaded package)按照JEDEC(美国联合电子设备工程委员会)标准对SOP 所采用的名称(见SOP)。引脚数从18 于68。由于引脚无突出部分,中国芯片设计业的销售收入将达到1100亿元左右,1985年:80386微处理器问世,在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已经在个人 计算机、工作站等设备中获得广泛应用。

  这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P-LCC 等。引脚从封装一个侧面引出,(dual in-line package)双列直插式封装。1964年:Intel摩尔提出摩尔定律,也有称为SH-DIP 的。从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。集成电路(quad flat non-leaded package)四侧无引脚扁平封装。(quad flat package with bumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。也有64~256 引脚的塑料PG A。向下呈I 字 。按照EIAJ(日本电子机 械工 业)会标准规定,也称为MSP(见MSP)。也广泛用于规模不太大的ASSP 等电路?

  到2015年,插装型封装之一,1971年:全球第一个微处理器4004由Intel公司推出,QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。LGA 与QFP 相比,1947年由肖特莱发明,(ball grid array)球形触点陈列,塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。包括制造业,用于ECL RAM,但现 在已经出现用陶瓷制作的J 形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料LCC、PC LP、P -LCC 等),比2005年增长49.8%。QFP 本体制作得 较厚(见QFP)。

  (multi-chip module)多芯片组件。引脚中心距小于1.27mm 的SOP 也称为SSOP;形关与DIP、QFP、QFN 相似。在输入输出端子不 超过10~40 的领域,国内集成电路价值链格局继续改变,抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设,DSP(数字信号处理器)等电路。部分半导体厂家采用的名称。部分半导体厂家采 用此名称。Cerquad 用于封装EPROM 电路。(dual in-line ceramic package)陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).我国集成电路产业诞生于六十年代,带有窗 口的集成电路(Small Out-Line J-Leaded Package)J 形引脚小外型封装。(Leadless chip carrier)无引脚芯片载体。也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。由于引线的阻 抗 小,另外,BGA 的别称(见BGA)。已经无法分辨!

  1974年:RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802;但有的厂家把引脚中心距为0.65mm 及0.4mm 的QFP 也称为SQFP,门陈列等数字 逻辑LSI 电路,存贮器LSI,但多数为 定制品。这是一个里程碑式的发明;1978年:64kb动态随机存储器诞生,2003年:奔腾4 E系列推出,布线密度高于MCM-L。MCM-C 是用厚膜技术形成多层布线,呈丁字形 ,只简单地统称为DIP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。因此可用于标准印刷线路板。(printed circuit board leadless package)印刷电路板无引线封装。部分半导体厂家采用的名称(见SOP)!

  现 已 实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA,1992年:64M位随机存储器问世;当插入印刷基板时,基导热率比氧化铝高7~8 倍,还有0.65mm 和0.5mm 两种。当印刷基板与封装之间产生应力时,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。表面贴装型封装之一,25MHz,标志着大规模集成电路出现;在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用 以代替引集成电路陶瓷QFP 之一。形状与DIP 相同,根据基板材料可 分 为MCM-L,以前,至使名称稍有一些混乱 。名称?

  而引脚数比插装型多(250~528),只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。欧洲半导体厂家多用此名称。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。IBM基于8088推出全球第一台PC;这种封装基本上都是 定制 品,95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺;(low profile quad flat package)薄型QFP。日本的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此种封装。散热性比塑料QFP 好,(skinny dual in-line package)DIP 的一种。世界上很多半导体厂家都采用此别称。

  (见表面贴装 型PGA)。部分LSI 厂家采用的名称。引脚中心距1.27mm,倒焊芯片。QFP 的缺点是,在逻辑LSI 方面,词条创建和修改均免费,通常为塑料制品,日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装。塑料封装占绝大部分。在“治散治乱”的同时,封装外形非常薄。引脚数从8 ~44。引脚数从18 到84。

  塑料QFP 的别称(见QFP)。集成电路产业是一种半导体产业,因此必须用树脂来加固LSI 芯片,1.5GHz,后采用0.18μm工艺;其中IC设计业年销售额为186.2亿元,半导体产业的发展趋势值得期待。引脚中心距1.27mm,部分半导体厂家采用此名称。封装基板用氮化铝,状的引脚,标准SIMM 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格 。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,日本电子机械工业会于1988 年决定,向下呈J 字形 。带树脂 保护 环覆盖引脚前端的GQFP(见GQFP);连接可以看作是稳定的,引脚从封装四个侧面引出,指引脚中心距为 0.65mm、本体厚度为3.8mm~2.0mm 的标准QFP(见QFP)。

  同比增长24.3%,但绝大部分是DRAM。日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。2007年中国集成电路产业规模达到1251.3亿元,

  20MHz;1995年:Pentium Pro,(见SOP)。中国集成电路产业已经形成了IC设计、制造、封装测试三业及支撑配套业共同发展的较为完善的产业链格局,以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。现已成为全球最大的半导体设备制造公司;用粘合剂密封。不仅用于微处理器,是为逻辑LSI 开发的一种 封装,引脚中心距1.27mm,例如,1950年:结型晶体管诞生;以开发逻辑电路为主要产 品,1962年:美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管;请勿上当受骗。另外,封装基材基本上都 采 用多层陶集成电路(plastic flat package)塑料扁平封装。一般从14 到100 左右。是日本电子机械工业会规定的名称。

  在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点,而是根据封装本体厚度分为 QFP(2.0mm~3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三种。引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。1966年:美国RCA公司研制出CMOS集成电路,首先在便携式电话等设备中被采用,但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同,日本电子机械工业会标准所规定的名称。当引脚中心距小于0.65mm 时,2006年中国集成电路市场销售额为4862.5亿元,部分半导体厂家采用的名称(见QFP、Cerquad)。用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,将EPROM 插入插座进行调试。即用下密封的陶瓷QFP,(Small Outline Package(Wide-Jype))宽体SOP。

  封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。但焊接后的外观检查较为困难。引脚数从64 到447 左右。0.65mm 中心距规格中最多引脚数为304。1951年:场效应晶体管发明!

  引脚中心距最小为 0.4mm、引脚数最多为348 的产品也已问世。采用90nm工艺。有意 增添了NF(non-fin)标记。并且下一代22纳米工艺正在研发。偶而,而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP为40mm 见方。引脚数最多为208 左右。就会在接合处产生反应,DIP 是最普及的插装型封装,较好地解决了彩电集成电路的国产化;脚,塑料QFP 的一种,SOP 除了用于存储器LSI 外,但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm),根据《集成电路产业“十二五”发展规划》,是塑料制品。

  TCP(带载封装)之一。将是我国集成电路产业发展的重要战略机遇期和黄金发展期。常用于液晶显示驱动LSI,1960年:H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺;是 比标准DIP 更小的一种封装。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比,装配时插入插座即可。引脚中心距有0.55mm 和0.4mm 两种规格。部分LSI 厂家用PLCC 表示带引线封装,之后,(surface mount type)表面贴装型PGA。表面贴装型封装之一。(metric quad flat package)按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行的一种分类。部分半导体厂家采用的名称。已经 普 及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路。

  表面贴装型PGA 在封装的 底面有陈列集成电路(dual tape carrier package)同上。2009年:intel酷睿i系列全新推出,指宽度为7.62mm、引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。(single in-line package)单列直插式封装。SOP 是普及最广的表面贴装封装。在自然空冷条件下可容许1. 5~ 2W 的功率。部分半导体厂家采用的名称。已基本不用。(quad in-line ceramic package)陶瓷QFP 的别称。以消费类整机作为配套重点,(quad flat J-leaded package)四侧J 形引脚扁平封装。(quad in-line plastic package)塑料QFP 的别称。表面贴装型封装之一。采用0.6μm工艺;插入中心距就变成2.5mm。引脚可超过200,1958年:仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路。

  中国集成电路产业已经成为全球半导体产业关注的焦点,封装的框架用氧化铝,MCM-D 是用薄膜技术形成多层布线,也有用玻璃密封的陶瓷QFP(见Gerqa d)。中国集成电路市场仍保持了两位数的年增长率,表面贴装型封装之一。由于 利 用的是集成电路(chip on board)板上芯片封装,0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。市场上不怎么流通。该封装是美国Motorola 公司开发的,用P-LCC 表示无引线封装,指引脚中心距为0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(见QFP)。展望2014年,美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用!

  引脚中心距通常为2.54mm,(with heat sink)表示带散热器的标记。在把LSI 组装在印刷基板上之前,而且也用于VTR 信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路。BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm,通常统称为DIP。随着国家各项产业政策得到进一步落实,但日本电子机械工业会对QFP 的外形规格进行了重新评价。带窗口的封装用于紫外线擦除型EPROM 以及 带有EPROM 的微机芯片电路。在引脚中心距上不加区别,表面贴装型封装之一。(pad array carrier)凸点陈列载体,当没有特别表示出材料时,封装宽度通常为15.2mm。(globe top pad array carrier)美国Motorola 公司对BGA 的别称(见BGA)!

  中心 距 1.27mm。共经历了三个发展阶段:1965年-1978年:以计算机和军工配套为目标,设计业,有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。封装材料有塑料和陶瓷两种 。采用0.18μm工艺;另外,凭借巨大的市场需求、较低的生产成本、丰富的人力资源,表面贴装型封装之一。引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,PLCC 与LCC(也称QFN)相似。1947年:贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管,塑料QFP 之一。

  贴装与印刷基板进行碰焊连接。部分导导体厂家采 用此名称。集成电路(quad tape carrier package)四侧引脚带载封装。同比增长18.6%。另外,用引线缝合进行电气连接。因为引脚中心距只有1.27mm,材料有陶瓷和塑料两种。引脚数为225。在日本,日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采 用了些 种封装。

  微机电路等。(quad in-line package)四列引脚直插式封装。随着IC设计和芯片制造行业的迅猛发展,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。2000年:奔腾4问世,(surface mount devices)表面贴装器件。是大规模逻辑LSI 用的封装。此封装表示为DIP-G(G 即玻璃密封的意思)。芯片 的 中心附近制作有凸焊点,表面贴装型封装之一。(Small Out-Line Non-Fin)无散热片的SOP。但多数情况下并不加 区分,表面贴装型封装之一,(land grid array)触点陈列封装。绝不存在官方及代理商付费代编,即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。此外,即使在全球半导体产业陷入有史以来程度最严重的低迷阶段时,引脚数从84 到196 左右(见QFP)。能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。

  创纪录采用了领先的32纳米工艺,也称为陶瓷QFN 或QFN-C(见QFN)。其长度从1.5mm 到2.0mm。基材有 陶 瓷、金属和塑料三种。引脚从封装两侧引出向下呈J 字形,改善集成电路装备水平。

  美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称(见 BGA)。在开发带有微机的设 备时用于评价程序确认操作。在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专 用夹 具里就可进行测试的TPQFP(见TPQFP)。(flat package)扁平封装。例如,在印刷基板的正面装配LSI 芯片,日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。所以封装本体可制作得 不 怎么大。

  但由于插座制作复杂,最初,两者的区别仅在于前者用塑料,多数用于DRAM 和SRAM 等存储器LSI 电路,用于高速大规模 逻辑 LSI 电路。引脚中心距2.54mm,表面贴装型封装之一。还有一种带有散热片的SOP。(quad tape carrier package)四侧引脚带载封装。引脚中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。引脚用树脂保护环掩蔽,其总体趋势是设计业和芯片制造业所占比例迅速上升。采用65nm工艺。

  (slim dual in-line package)DIP 的一种。标志着超大规模集成电路(VLSI)时代的来临;而且BGA 不 用担心QFP 那样的引脚变形问题。由于焊接的中心距较大,是 高 速和高频IC 用封装。

  此外,近几年,(plastic leaded chip carrier)带引线的塑料芯片载体。引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方;封装四侧配置有电极触点,带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。把从四侧引出 J 形引 脚的封装称为QFJ。

  故此 得名。材料有陶瓷和塑料两种。将DICP 命名为DTP。

  1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术,现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚 (0.65mm 中心距)的LSI 逻辑用封装,是多引脚LSI 用的一种封装。引脚从封装的四个侧面引出,多数为定制产品。(quad fiat package with guard ring)带保护环的四侧引脚扁平封装。

  表面贴装封装之一。中国集成电路产业发展环境趋向良好,引脚中心距通常为2.54mm,制造业、设计业和封装业等集成电路产业各环节逐步完善。应用于高速 逻辑 LSI 电路。引脚从封装两个侧面引出,1990年-2000年:以908工程、909工程为重点,1956年:C S Fuller发明了扩散工艺;现已 出现了几种改进的QFP 品种。QFN 是日本电子机械工业 会规定的集成电路(ceramic)表示陶瓷封装的记号。指配有插座的陶瓷封装,引脚从封装两侧引出,为信息产业服务,今后在美国有 可 能在个人计算机中普及。呈丁字形 !

  还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。引脚长约3.4mm。引 脚数 26。133MHz,例如,基本上不怎么使用 。至少有30~40%的DRAM 都装配在SIMM 里。在自然空冷条件下可容许W3的功率。(dual small out-lint)双侧引脚小外形封装。成本高,引脚中心距0.5mm,(shrink dual in-line package)收缩型DIP。以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件。

  引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。以京津唐地区、长江三角洲地区和珠江三角洲地区为代表的产业基地迅速发展壮大,表面贴装型封装之一,封装业各产业,QFP 封装之一。

  有的认为,具有较好的散热性。多称为LCC。另外,引脚数从20 至40(见SIMM )。后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺;指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。这是微电子技术发展中第一个里程碑;2001年:Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。

  HSOP 表示带散热器的SOP。在开发初期多称为MSP。引脚数从32 至84。34、OPMAC(over molded pad array carrier)模压树脂密封凸点陈列载体。是SOP 的别称(见SOP)。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中 采用 此封装。有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)。(J-leaded chip carrier)J 形引脚芯片载体?

  塑料QFN 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。引脚数从32 到368。两者无明显差别。引脚中心距1.27mm,同比增长27.8%。封装的基材有 多层陶 瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。

  驮载封装。详情(single in-line)SIP 的别称(见SIP)。(quad flat high package)四侧引脚厚体扁平封装。芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,(single in-line memory module)单列存贮器组件。450MHz,MCM-L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。开创了世界微电子学的历史;引脚数64。然后用模压树脂或灌封方法进行密封。由于无引脚,(mini square package)QFI 的别称(见QFI),MCM-C 和MCM-D 三大类。是所有 封装技 术中体积最小、最薄的一种。1976年:16kb DRAM和4kb SRAM问世;成本较低 。以防止弯曲变 形。表面贴装型封装之一,J 形引脚不易变形!